中科院研发突破性全固态DUV光源技术，引领半导体制造新篇章

中国科学院（CAS）在半导体制造领域取得重大突破，成功研发出全固态深紫外（DUV）光源技术，这一技术的诞生，为我国半导体产业迈向更高技术水平提供了强有力的技术支撑，有望引领全球半导体制造进入新的发展阶段。

深紫外（DUV）光源技术在半导体制造领域具有举足轻重的地位，DUV光刻机是制造集成电路的关键设备，其光源的波长直接影响着芯片的制造精度，全球DUV光刻机市场主要由荷兰ASML、日本佳能和尼康等企业垄断，而我国在该领域一直处于追赶地位。

此次中科院成功研发的全固态DUV光源技术，采用自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030纳米激光，通过两条不同的光学路径进行波长转换，最终获得193纳米波长的激光光束，与传统的DUV光源技术相比，全固态DUV光源技术具有以下优势：

1、高效率：全固态DUV光源技术采用固态设计，系统设计复杂度和体积大幅降低，有利于提高光源的转换效率。

2、低能耗：相比传统的气体激光器，全固态DUV光源技术能耗更低，有助于降低生产成本。

3、高稳定性：全固态DUV光源技术具有更高的稳定性，有利于提高光刻机的性能和可靠性。

4、低成本：全固态DUV光源技术降低了对于稀有气体的依赖，有助于降低生产成本。

5、应用广泛：全固态DUV光源技术可应用于半导体制造、高分辨率光谱学、精密材料加工和量子技术等领域。

据悉，此次中科院研发的全固态DUV光源技术已达到国际先进水平，其平均功率为70毫瓦，频率为6千赫兹，线宽低于880兆赫，半峰全宽（FWHM）小于0.11皮米，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当，该技术还具有以下特点：

1、首次实现固态激光器直接输出193纳米涡旋光束，为混合型ArF准分子激光器提供了新型种子光源。

2、在晶圆加工、缺陷检测、量子通信和光学微操控等领域展现出重要应用前景。

3、为推动我国半导体工艺发展至3nm节点奠定了基础。

中科院此次研发的全固态DUV光源技术，标志着我国在半导体制造领域取得了重大突破，在国内外光刻机市场竞争日益激烈的背景下，我国有望借助这一技术优势，加快半导体产业升级步伐，提升我国在全球半导体产业链中的地位。

中科院将继续加大研发投入，推动全固态DUV光源技术在半导体制造领域的广泛应用，助力我国半导体产业实现跨越式发展，我国政府和企业也将携手共进，共同推动半导体产业链的完善，为我国经济持续增长提供有力支撑。